机构：磷化铟供需错配显著，重视国产替代机遇

2026年6月13日，国盛证券（002670.SZ）发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，磷化铟为光芯片的核心衬底。光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底材料，相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用，目前磷化铟80%以上的需求来自AI数据中心。InP激光器市场将继续增长，其中包括用于可插拔光模块和 CPO/NPO的CW激光器，以及用于相干光模块的可调激光器和 InP PIC。根据LightCounting的数据，InP为光芯片市场中最大的细分领域，2025年占总市场的58%，到2031年将占据46%（约69亿美元）。

磷化铟进入壁垒高且扩产周期长，扩产瓶颈包括原材料限制和设备交期长等。

1）原材料（高纯铟）限制，中国外交部重申对日稀土管制。中国拥有全球最丰富的铟资源，已查明储量约2万吨，占全球可开采储量的75%。中国从2023年先行管制镓、锗出口，到2025年2月将磷化铟正式纳入许可管理，再到2026年将铟出口总量锁定在年产量的30%以内，高纯铟（纯度≥6N）的特批更加严格。对日本的军用出口已降至零，民用许可通过率不足20%。

2）扩产周期长达18-36个月，核心设备依赖进口及8-12个月良率爬坡期。全球MOCVD设备的主要供应商AIXTRON、Veeco，目前交货周期已长达7个月以上，加上后续调试还需3-4个月；高端EBL设备的交期普遍超过12个月，市场由日本JEOL、德国Raith等少数厂商主导。根据QYResearch，EBL市场高度集中，前五大厂商占据了全球市场的90%以上。

磷化铟衬底供给市场寡头垄断，供需缺口超70%。根据Omdia、Yole数据，2026年全球磷化铟衬底需求从2025年的200-210万片提升至260-300万片，有效产能仅从2025年的60-70万片提升至75万片左右，缺口仍在70%以上；2027年后，行业预测需求将进一步突破400万片。磷化铟单晶生长设备与制备技术门槛极高，行业技术壁垒深厚，市场长期由海外龙头主导，呈现高度垄断的竞争格局。2020年，日本住友、北京通美、日本JX合计磷化铟衬底市占率达91%；目前大规格高品质InP衬底的供应仍被日本住友电工、北京通美、日本JX三家厂商垄断。面对旺盛需求，海外厂商积极扩产，AXT（AXTI.US）计划在2027年底前将磷化铟产能翻两番；JX金属则计划将磷化铟基板产能提升至2025年水平的三倍；Lumentum从Aixtron订购了多套磷化铟生产系统，计划在2028年中期前专注于扩大6英寸磷化铟晶圆的生产；Coherent（COHR.US）计划两年内磷化铟产能翻两番。

国内6英寸磷化铟衬底国产化率不足5%，国产替代进程加速。云南锗业（002428.SZ）正加速推进磷化铟产能的全面扩充，2026年4月，公司同意子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”，项目计划总投资约1.9亿元，建设期为18个月，在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。

可以看到，海外厂商的产能已接近满负荷运行，且扩产周期长达2-3年，无法及时满足快速增长的市场需求。当前磷化铟衬底的供需缺口大，头部企业的在手订单已排至2028年。我们认为，在供需紧张和国产替代的双重驱动下，国内磷化铟衬底企业将迎来重大发展机遇。