2026上半年，存储“新周期”：AI算力重塑供求关系，国产替代加速突围

2026年上半年，存储芯片是A股半导体赛道中最赚钱的板块之一。

数据显示，存储芯片指数上半年大涨165.08%，存储芯片概念指数涨幅86.49%，板块中有55只股价涨幅超过100%。2024年9月，存储板块总市值约4803亿元，到2026年6月，总市值已攀升至3.33万亿元，累计增长约2.85万亿元。

据TrendForce数据，2026年第一季度一般型DRAM合约价环比涨幅高达93%至98%，NAND Flash合约价环比上涨55%至60%；二季度涨势延续，DRAM合约价（含HBM）环比再涨53%至58%，NAND Flash合约价环比上涨55%至60%，预计三季度将分别再涨8%至13%和10%至15%。

DDR4涨超17倍，HBM产能全被预订

从产业发展历史来看，驱动这一轮存储行情的逻辑与过往截然不同。

存储已不再是消费电子的附属品，而是AI算力的核心战略资源。一台搭载8颗高端GPU的AI服务器，DRAM用量是普通x86服务器的8至10倍。HBM等高带宽内存对晶圆厂资源的消耗约是标准DDR5的3至4倍。

据行业测算，2026年全球DRAM晶圆总产能中，HBM投片已占据约12%至15%的份额，数据中心和AI服务器合计消耗了全球一半的DRAM产能。而全球DRAM市场近90%的有效产能握在三星、SK海力士、美光三大寡头手中。

SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上披露，2026年HBM市场规模预计增长58%以上，至546亿美元，占DRAM市场近四成，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增产能向HBM倾斜，整体产能缺口仍高达50%至60%。截至2026年首季，三大原厂的HBM产能已全部售罄。瑞银预测2026年HBM需求将同比增长90%，达到约331亿Gb。市占率方面，SK海力士2026年HBM营收预计达59.5亿美元，稳居全球第一。

HBM对晶圆产能的挤占效应传导至通用存储市场，带动DRAM与NAND价格显著回升。

据央视网，2026年5月，全球DRAM和NAND闪存商品价格继续上涨，双双创下历史新高。据市场研究机构DRAMeXchange于5月29日发布的数据，PC用DDR48Gb内存的平均价格达到20美元，较4月的16美元上涨25%，为该机构自2016年6月开始追踪以来的最高值。

6月3日，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，TrendForce集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55%—60%，改为上涨90%—95%，NAND Flash合约价则从季增33%—38%上调至55%—60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

在产业景气上行周期中，具备产能锁定能力和一体化布局的模组与设计厂商，成为市场关注的焦点。

作为存储解决方案龙头，佰维存储（688525.SH）研发封测一体化布局，此前与某存储原厂签署18.6亿美元采购协议，采用“锁量锁价”模式锁定企业级存储颗粒产能至2028年，晶圆级先进封测项目预计2026年底开始贡献收入。国投证券预计公司2026年营收为284.12亿元，归母净利润为88.09亿元。

江波龙（301308.SZ）是模组环节最核心的弹性标的。公司7月3日披露的半年度业绩预告显示，预计2026年上半年营收220亿至250亿元，归母净利润92亿至110亿元，同比增长622倍至744倍。公司已与多家全球主要存储晶圆原厂顺利续签供应协议，锁定核心原材料供给。

兆易创新（603986.SH）是国内存储设计龙头，NOR Flash全球排名第二。2026年一季度营收41.88亿元，同比增长119.38%，环比增长76.58%；归母净利润14.61亿元，同比增长522.79%，环比增长158.72%。主要是公司利基型DRAM业务在一季度实现环比翻倍以上增长。中邮证券预计公司2026年归母净利润将达60.81亿元。

封测、设备与材料成为最确定环节

存储先进封测是高阶封装产能紧缺的直接受益环节。HBM、Chiplet依赖2.5D/3D先进封装，全球高阶封装产能集中在台积电（TSM.US）、日月光等企业手中，内陆厂商正加速突破。

长电科技（600584.SH）是国内封测龙头，2025年全年营收388.71亿元，同比增长8.09%，其中先进封装营收占比近70%，运算电子（AI算力）收入同比增长42.6%。2026年一季度，公司实现营收91.71亿元，同比下降1.76%，实现归母净利润2.90亿元，同比增长42.74%。摩根大通预计公司未来三年销售额和盈利年复合增长率分别为16%和46%。

存储设备与材料环节，扩产潮下的国产配套机遇最为确定。

长鑫存储2024年、2025年资本开支分别达712.3亿和497.4亿元，产能利用率长期维持90%以上。公司2026年一季度营收508.1亿元，同比增长719%。

拓荆科技（688072.SH）是国内薄膜沉积设备龙头，PECVD设备在长江存储3D NAND产线中的占比已达30%，装机量达200台。公司2025年PECVD设备实现营收约51.42亿元，同比增长75.3%；ALD设备营收约3.01亿元，同比增长191.82%。2026年一季度，公司实现营收11.12亿元，同比增长56.97%，归母净利润为5.71亿元，同比扭亏。招商证券预计公司2026年营收88.77亿元，归母净利润17.06亿元。

北方华创（002371.SZ）作为设备平台型龙头，在刻蚀、薄膜沉积、热处理等领域深度布局，存储领域新签订单今年翻倍增长。2025年公司集成电路设备营收同比增长超50%，整体营收达393.53亿元。2026年一季度，公司实现营收103.23亿元，同比增长25.80%，归母净利润16.35亿元，同比增长3.42%。

对此，首创证券指出，北方华创2025年集成电路设备营收同比增长超过50%，多款刻蚀、薄膜沉积设备市占率稳步提升，且随着芯源微（688037.SH）并购整合的完成，公司在涂胶显影领域的短板得以补齐，平台化协同效应将进一步增强。首创证券预计公司2026年营收为506.35亿元，归母净利润为67.66亿元。

高盛预计2028年设备国产化率将提升至40%

本轮存储周期由AI算力长期资本开支驱动。据悉，存储是半导体最典型的强周期行业，过往周期由消费电子库存波动驱动，周期长度约2至3年。同时，一座12英寸晶圆厂从动工到满产需要18至36个月，单厂投资动辄150亿至200亿美元。供给端的刚性叠加AI需求的爆发式增长，使本轮周期的持续时间和强度远超过往。

供需节奏方面，供给端海外三大厂商将70%的新增产能向HBM倾斜。美光2026财年资本支出大幅上调至250亿美元以上。SK海力士计划到2030年实现DRAM产能翻倍至100万片/月，到2034年达到150万片/月。

需求端，AI服务器、企业级存储需求爆发，消费电子补库同步启动。瑞银预计存储芯片供应缺口将持续至2028年。价格方面，2026年下半年预计维持上行趋势但涨幅逐步收窄，TrendForce预计三季度DRAM合约价季增13%至18%，NAND季增10%至15%。2027年预计维持高位震荡，不会出现断崖式下跌。

国产替代层面，存储芯片制造已实现从0到1的突破。据国信证券研报，2026年第一季度，长江存储在NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%。不过，高端HBM、存储专用EDA、先进制程设备、特种材料仍高度依赖海外。国产设备采用率方面，长江存储三期明确规划100%采用国产设备。高盛预计，2026至2028年国产化率将从26%提升至32%至40%。

进出口管制层面，2026年二季度，美日荷同步升级对华半导体管制。5月29日，日本经济产业省发布新规，新增20类设备管制，覆盖HBM超薄堆叠全流程。DISCO垄断的研磨设备在列，对华审批周期3-6个月，先进封装设备驳回率近80%，电子化学品同步受限。

除了日本外，5月31日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布新规，再次堵住中资海外子公司采购先进AI芯片的路径。

对中国半导体产业而言，短期来看，日本的出口管制将直接冲击国内存储厂的扩产节奏，HBM生产所需的超薄晶圆研磨、TSV硅通孔等关键设备供应面临不确定性，而高端HBM恰恰是国内存储原厂正在追赶的方向。中期来看，进口管制可能使国内先进制程的推进速度放缓，设备采购周期拉长、成本上升。长期来看，海外封锁正在加速倒逼国产替代。