AI挤出效应加剧DRAM紧平衡，存储链及先进封装设备有望持续受益

截至8月7日13点22分，上证指数涨0.62%，深证成指涨1.68%，创业板指涨2.26%。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨3.13%，成分股芯朋微（688508.SH）涨超10%，睿创微纳（688002.SH）、普冉股份（688766.SH）、翱捷科技-U（688220.SH）、新相微（688593.SH）、聚辰股份（688123.SH）、佰维存储（688525.SH）、康希通信（688653.SH）、联芸科技（688449.SH）涨超5%，纳芯微（688052.SH）等上涨。

消息方面，韩国三星电子和SK海力士正在评估中国中微半导体的芯片制造设备，考虑将其用于旗下中国工厂。这一消息引发了市场对国产半导体设备获得国际客户认可并加速出海进程的积极预期，成为推动半导体板块，特别是设备龙头公司股价上涨的直接催化因素。

东吴证券表示，AI驱动HBM需求爆发，DRAM供需持续偏紧，全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长，推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级，HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算，全球HBMwafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能，AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解，全球DRAM供需仍将维持紧平衡，国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。

中信建投证券表示，全球半导体设备景气度持续上修，海外设备、零部件已出现“量价齐升”情况，海外交期大幅延长，国产设备、零部件经历“十四五”期间的修炼，能力大幅提升，具备充足的出海潜力。另外一方面，除了外部制裁因素以外，全球缺货使得国内下游客户获取海外设备、零部件的难度进一步提升，我们看好国内市场的国产替代速度大幅加速。

科创芯片设计ETF易方达（589030.SH）跟踪科创芯片设计指数（950162.CSI），是目前市场上GPU、CPU等AI芯片含量最高的半导体主题指数产品。成分股集中于科创板芯片设计类企业，前五大权重股包括澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪，具有较高的AI产业链纯度和弹性特征，投资者可关注该产品在国产大模型生态成熟和算力需求释放背景下的配置机会。