SK海力士：拟在纽约州建首座美国NAND工厂

11月3日，财闻海外资讯援引首尔经济日报报道，据知情人士透露，SK海力士（SKHY.US）旗下NAND闪存子公司Solidigm计划在纽约州奥奈达县的Marcy Nanocenter工业基地投资高达130万亿韩元（约合6,890亿元人民币）建设NAND生产工厂。这是SK海力士在美国建设首座NAND晶圆厂的战略布局，旨在把握人工智能数据中心热潮推动下先进NAND市场的扩张机遇。

报道称，SK海力士和Solidigm已基本确定Marcy Nanocenter为首座美国NAND晶圆厂选址，正与相关机构协调投资条款。负责Marcy Nanocenter开发的经济促进机构Mohawk Valley EDGE高级副总裁Tim Fitzgerald证实，该机构正与奥奈达县及纽约州谈判，以吸引大型企业入驻。

Marcy Nanocenter占地434英亩（约175.6万平方米），配备半导体工厂所需的电力和供水基础设施，另有余地127英亩可供扩展。该基地距美光（Micron）正在建设DRAM生产基地的纽约州克莱市约一小时车程，在构建半导体供应链和招募工人方面具备优势。

据行业消息人士，Solidigm计划先在Marcy Nanocenter建成月产能10万片（12英寸标准）的NAND晶圆厂，随后扩建第二座。单座NAND晶圆厂投资约400亿至500亿美元，总投资预计高达1000亿美元（约6,700亿元人民币）。纽约州正考虑提供高达5000万美元（约3.35亿元人民币）的场地准备支持。

SK海力士方面表示，Solidigm的美国晶圆厂建设“仍在评估中，尚未最终确定”。

Solidigm此前撤回美国IPO计划，投资资金需通过其他渠道筹措。业界预计公司将动用SK海力士积累的114万亿韩元现金进行直接注资，并结合外部借款。另一方案是利用美国半导体投资税收抵免及纽约州激励政策降低实际投资负担，并分阶段推进厂房建设和设备安装以分散压力。

此外，SK海力士还在评估利用英特尔（INTC.US）俄亥俄州工厂生产DRAM的方案。据知情人士，公司正讨论租赁英特尔新奥尔巴尼工厂部分产能，或与英特尔及美国主要云服务商成立合资企业的选项。若该计划落地，结合印第安纳州HBM后端设施及纽约NAND工厂，将形成覆盖美国中西部和东北部的存储器生产网络，便于就近响应英伟达（NVDA.US）、谷歌（Google）等本土科技巨头的AI存储需求。

不过，英特尔的逻辑芯片产线与SK海力士的DRAM产线在工艺和设备配置上存在差异，可能需要额外资本支出和产线重新设计。且美国生产成本高昂，投资效率是关键考量，最终取决于美国科技巨头与SK海力士长期供货协议（LTA）的期限和规模。