日韩股市大幅收涨,SK海力士大涨近13%,三星拟推出超100万亿韩元股东回报方案
日经225指数收涨1.36%,报66216.79点;韩国KOSPI指数收涨5.89%,报6852.58点。其中,SK海力士涨近13%,三星电子涨超9%。
8月20日,日经225指数收涨1.36%,报66216.79点;韩国KOSPI指数收涨5.89%,报6852.58点。其中,SK海力士涨近13%,三星电子涨超9%。
消息面上,三星电子将于本月晚些时候宣布一项新的股东回报政策,价值超过100万亿韩元(717.5亿美元),因该公司计划在人工智能驱动的芯片超级周期中与股东分享创纪录的利润。
MoneyToday援引业内人士报道,这家韩国存储芯片制造商将于8月底召开董事会会议,批准一项包括特别股息的股东回报计划。报道称,三星将在新计划上投入自由现金流的50%。
同时,SK海力士(SKHY.US)联合弗吉尼亚大学、MIT、UIUC、南洋理工、延世大学等机构研究人员,在顶级期刊《自然・电子学》发表CPO(共封装光学)论文,这也是公司首次在该级别期刊公开AI互联系统级技术蓝图。
论文指出,HBM虽解决芯片内部内存瓶颈,但当AI集群扩展至数千颗GPU,机架‑Pod层级的数据传输形成“带宽墙”,传统铜缆受功耗、信号衰减制约难以持续扩容,CPO被视作破局关键。短期CPO聚焦处理器、机架之间光信号传输;长期提出“以光为中心”架构,借助光子中介层直接打通算力资源池与内存资源池,把光互联延伸到内存接口,实现多AI加速器共享大容量内存池,突破封装物理限制。
根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告,DRAM现货市场供需依然疲软,预计2026年第三季度交易量将保持低位,而价格将继续小幅上涨,主流芯片(例如DDR41Gx83200MT/s)的平均现货价格已从上周(8月12日)的42.61美元上涨至本周(8月18日)的42.90美元,涨幅为0.67%。NAND闪存方面,交易势头持续减弱,本周512Gb TLC晶圆现货价格上涨0.39%,达到每片21.208美元。

